Industri memori telah mencapai pencapaian penting apabila SK hynix mengumumkan penyiapan pembangunan memori HBM4 generasi seterusnya dan kesediaan untuk pengeluaran besar-besaran. Kejayaan ini datang pada masa yang kritikal apabila beban kerja kecerdasan buatan mendorong permintaan yang tidak pernah berlaku sebelum ini untuk penyelesaian memori jalur lebar tinggi, dan pusat data bergelut dengan kos penggunaan kuasa yang semakin meningkat.
Lonjakan Prestasi Revolusioner dengan Lebar Antara Muka Berganda
HBM4 SK hynix mewakili kemajuan teknologi yang besar, menampilkan antara muka I/O 2,048-bit yang menggandakan jalur lebar berbanding generasi sebelumnya. Ini menandakan kali pertama lebar antara muka HBM digandakan sejak 2015, membolehkan keupayaan pemprosesan data yang meningkat secara dramatik. Memori ini mencapai kelajuan operasi melebihi 10 GT/s, yang mengatasi spesifikasi standard JEDEC sebanyak 8 GT/s dengan 25%, meletakkan SK hynix mendahului standard industri.
Spesifikasi Utama HBM4
Spesifikasi | HBM4 | Generasi Sebelumnya |
---|---|---|
Antara Muka I/O | 2,048-bit | 1,024-bit |
Kadar Pemindahan Data | >10 GT/s | 8 GT/s (standard JEDEC) |
Kecekapan Kuasa | Peningkatan 40% | Garis asas |
Lebar Jalur | Berganda | Generasi sebelumnya |
Peningkatan Prestasi AI | Sehingga 69% | T/A |
![]() |
---|
Modul memori HBM4 SK Hynix, mempamerkan reka bentuk canggihnya dan lebar antara muka berganda untuk pemprosesan data yang dipertingkatkan |
Keuntungan Kecekapan Kuasa Ketara Menangani Kebimbangan Pusat Data
Memori HBM4 baharu memberikan peningkatan lebih daripada 40% dalam kecekapan kuasa berbanding pendahulunya, menangani salah satu cabaran paling mendesak yang dihadapi pusat data moden. Peningkatan ini amat penting kerana beban kerja AI terus berkembang dan penggunaan kuasa menjadi kos operasi yang semakin ketara. SK hynix mengunjurkan bahawa pelaksanaan HBM4 boleh meningkatkan prestasi perkhidmatan AI sehingga 69% sambil mengurangkan kos kuasa pusat data secara serentak.
Proses Pembuatan Canggih Memastikan Kebolehpercayaan Pengeluaran
Syarikat telah melaksanakan proses Advanced MR-MUF (Mass Reflow Molded Underfill) yang terbukti untuk pengeluaran HBM4, yang telah menunjukkan kebolehpercayaan pasaran. Selain itu, SK hynix menggunakan teknologi proses 1b-nm yang matang, mewakili generasi kelima pembuatan kelas 10-nanometer. Gabungan proses yang terbukti ini bertujuan untuk meminimumkan risiko pengeluaran sambil mengekalkan ciri prestasi yang diperlukan untuk aplikasi AI yang mencabar.
Butiran Teknologi Pembuatan
- Nod Proses: 1b-nm (Generasi Ke-5 Kelas 10nm)
- Kaedah Pemasangan: Advanced MR-MUF Termaju (Mass Reflow Molded Underfill)
- Konfigurasi Susun: Berkemungkinan konfigurasi 12-Hi
- Kapasiti Dijangka: Dianggarkan 36 GB setiap susun
- Status Pengeluaran: Sedia untuk pengeluaran besar-besaran
Kedudukan Strategik untuk Kepimpinan Infrastruktur AI
Menurut Jouhwan Cho , Ketua Pembangunan HBM di SK hynix , penyiapan pembangunan HBM4 mewakili pencapaian baharu untuk industri. Syarikat menekankan komitmennya untuk memenuhi keperluan pelanggan merentasi metrik prestasi, kecekapan kuasa, dan kebolehpercayaan. Justin Kim , Presiden dan Ketua AI Infra di SK hynix , meletakkan syarikat sebagai yang mewujudkan sistem pengeluaran besar-besaran HBM4 pertama di dunia, bertujuan untuk menjadi penyedia memori AI yang komprehensif.
Landskap Persaingan
Syarikat | Status Produk | Kadar Pemindahan Data |
---|---|---|
SK hynix | Sedia untuk pengeluaran besar-besaran | >10 GT/s |
Micron | Sedang dalam fasa persampelan | 9.2 GT/s |
Rambus | Pengawal tersedia | Berkemampuan 10 GT/s |
JEDEC Standard | Spesifikasi rasmi | 8 GT/s |
Konteks Pasaran dan Landskap Persaingan
Pencapaian SK hynix datang ketika pesaing juga menolak melebihi spesifikasi standard. Micron kini mengambil sampel peranti HBM4 dengan kadar pemindahan data 9.2 GT/s, manakala Rambus telah membangunkan pengawal memori HBM4 yang mampu mencapai kelajuan 10 GT/s. Persekitaran persaingan ini mencerminkan permintaan sengit daripada pengeluar pemecut AI, termasuk AMD , Broadcom , dan Nvidia , yang sedang membangunkan produk generasi seterusnya yang dijangka dilancarkan pada 2026.