Gergasi memori Micron telah mencapai pencapaian penting dalam pembangunan perkakasan AI generasi akan datang dengan memulakan penghantaran sampel memori HBM4 kepada pelanggan utama. Ini menandakan pensampelan rasmi pertama teknologi HBM4 dalam industri, meletakkan Micron mendahului pesaing Samsung dan SK Hynix dalam perlumbaan untuk menyampaikan penyelesaian memori canggih bagi aplikasi kecerdasan buatan dan pengkomputeran berprestasi tinggi.
Platform Pelanggan Utama
- ** NVIDIA **: GPU pusat data Vera Rubin (dijangka lewat 2026)
- ** AMD **: Pemproses pelayan Instinct MI400
- Kedudukan Pasaran: Syarikat pertama yang secara rasmi mengambil sampel HBM4
- Pesaing: Samsung dan SK Hynix dijangka menyusul
Lonjakan Prestasi Revolusioner
Modul memori HBM4 baharu menyampaikan peningkatan prestasi yang luar biasa berbanding pendahulunya. Setiap modul 36GB mencapai lebar jalur melebihi 2TB/s melalui antara muka 2048-bit, mewakili peningkatan prestasi yang besar sebanyak 60% berbanding memori HBM3E generasi sebelumnya. Peningkatan dramatik ini berpunca daripada kadar pemindahan data modul kira-kira 7.85 GT/s, yang meningkatkan keupayaan memori untuk membekalkan pemproses AI yang memerlukan data tinggi dengan ketara.
Perbandingan Prestasi HBM4 vs HBM3E
| Spesifikasi | HBM4 | HBM3E |
|---|---|---|
| Kapasiti | 36GB | Sehingga 36GB |
| Lebar Antara Muka | 2048-bit | 1024-bit |
| Kadar Pemindahan Data | ~7.85 GT/s | Sehingga 9.2 GT/s |
| Lebar Jalur Puncak | >2TB/s | Sehingga 1.2TB/s |
| Peningkatan Prestasi | +60% berbanding HBM3E | - |
| Kecekapan Kuasa | Penambahbaikan +20% | - |
Pembuatan Canggih dan Kecekapan
HBM4 Micron memanfaatkan teknologi proses DRAM 1-beta yang terbukti syarikat itu digabungkan dengan pembungkusan canggih 12-tinggi yang canggih. Pemasangan memori menggunakan peranti DRAM 24GB yang dihasilkan pada proses 1ß Micron , manakala die asas logik dihasilkan oleh TSMC menggunakan sama ada teknologi proses logik kelas 2nm 12FFC+ atau kelas 5nm N5 . Selain prestasi mentah, modul HBM4 menyampaikan keuntungan kecekapan kuasa yang mengagumkan, mengurangkan penggunaan kuasa dalam sistem AI berskala besar lebih daripada 20% berbanding penyelesaian semasa.
Spesifikasi Teknikal Utama
- Konfigurasi Memori: Reka bentuk bertindan 12-Tinggi
- Proses Pembuatan: Proses DRAM Micron 1ß (1-beta)
- Dies Logik: TSMC 12FFC+ (kelas 2nm) atau N5 (kelas 5nm)
- Ciri Istimewa: Ujian Dalaman Terbina Dalam Memori (MBIST)
- Aplikasi Sasaran: Pemproses AI dan HPC
- Pengeluaran Volum: Dijangka pada 2026
Integrasi Pelanggan Strategik
Masa pensampelan HBM4 Micron sejajar secara strategik dengan kitaran pembangunan pelanggan utama. GPU pusat data Vera Rubin NVIDIA yang akan datang dijangka menjadi antara produk pertama yang menggunakan teknologi HBM4 apabila ia dilancarkan pada akhir 2026. Pemproses pelayan Instinct MI400 AMD juga mewakili satu lagi sasaran integrasi utama untuk teknologi memori baharu. Micron telah menggabungkan ciri ujian kendiri terbina dalam memori untuk memudahkan proses integrasi bagi rakan kongsi yang membangunkan platform AI generasi akan datang.
Kepimpinan Pasaran dan Pandangan Masa Depan
Sebagai syarikat pertama yang secara rasmi memulakan pensampelan HBM4 , Micron telah mewujudkan kelebihan daya saing dalam pasaran memori AI yang berkembang pesat. Syarikat merancang untuk memulakan pengeluaran volum HBM4 pada suatu masa pada 2026, bertepatan dengan apabila pembangun pemproses AI terkemuka mula pengeluaran besar-besaran cip generasi akan datang mereka. Garis masa yang diselaraskan ini memastikan integrasi yang lancar dan peningkatan volum yang cekap merentasi ekosistem perkakasan AI, menyokong pengembangan berterusan aplikasi kecerdasan buatan merentasi pelbagai industri.