Teknologi memori revolusioner yang berjanji untuk menggabungkan ciri-ciri terbaik penyimpanan DRAM dan NAND telah mengambil langkah penting ke arah realiti komersial. Selepas bertahun-tahun pembangunan di makmal universiti, UltraRAM telah berjaya beralih kepada proses pembuatan berskala industri, menandakan pencapaian penting dalam perjalanan daripada konsep penyelidikan kepada produk sedia pasaran.
 |
|---|
| Ilustrasi teknologi UltraRAM yang menyerlahkan fungsi dan kelebihannya dalam penyimpanan memori |
Pembangunan Proses Industri Selesai
Quinas Technology , syarikat yang mengkomersialkan UltraRAM , telah berjaya bekerjasama dengan pengeluar wafer canggih IQE plc untuk membangunkan proses epitaksi berskala untuk pengeluaran volum. Perkongsian selama setahun ini telah menghasilkan apa yang didakwa syarikat sebagai proses industri pertama di dunia menggunakan epitaksi gallium antimonida dan aluminium antimonida. Kejayaan ini membolehkan pertumbuhan tepat lapisan semikonduktor kompaun pada substrat kristal, yang kemudiannya diproses menggunakan teknik pembuatan semikonduktor konvensional seperti fotolitografi dan pengoresan.
Butiran Proses Pembuatan
- Bahan: Epitaksi galium antimonida dan aluminum antimonida
- Proses: Pertumbuhan lapisan semikonduktor sebatian pada substrat kristal
- Langkah Tambahan: Fotolitografi dan pengetsaan untuk penciptaan struktur cip
- Kerjasama: Perkongsian antara Quinas Technology dan IQE plc
- Garis Masa: Projek pembangunan selama satu tahun selesai pada 2024
 |
|---|
| Kehadiran global dan operasi IQE yang menyokong pembuatan berskala teknologi UltraRAM |
Dakwaan Prestasi dan Kelebihan Teknikal
Daya tarikan UltraRAM terletak pada spesifikasi prestasi bercita-cita tinggi yang bertujuan untuk menghapuskan pertukaran tradisional antara kelajuan, ketahanan, dan pengekalan data. Teknologi ini menjanjikan kelajuan akses seperti DRAM sambil mengekalkan keupayaan penyimpanan tidak mudah hilang sehingga 1,000 tahun. Mungkin yang paling mengagumkan, ia menawarkan ketahanan 4,000 kali ganda berbanding memori kilat NAND, dengan ujian prototaip menunjukkan lebih 10 juta kitaran program dan padam. Memori ini juga membanggakan penggunaan kuasa ultra rendah dengan keperluan tenaga pensuisan kurang daripada satu femtojoule.
Spesifikasi Prestasi UltraRAM
| Ciri | Spesifikasi |
|---|---|
| Kelajuan Akses | Prestasi seperti DRAM |
| Pengekalan Data | Sehingga 1,000 tahun |
| Ketahanan | 4,000 kali ganda lebih baik daripada flash NAND |
| Kitaran Program/Padam | >10 juta kitaran |
| Penggunaan Kuasa | <1 femtojoule tenaga pensuisan |
| Teknologi | Proses kuantum resonant tunneling |
 |
|---|
| Analisis perbandingan menunjukkan kecekapan unggul UltraRAM berbanding teknologi memori DRAM dan Flash |
Inovasi Mekanik Kuantum
Teras kefungsian UltraRAM adalah proses mekanik kuantum yang dipanggil terowongan resonan, menjadikannya teknologi memori pertama yang mengeksploitasi fenomena ini untuk penyimpanan data. Pendekatan berpaten ini mewakili penyimpangan asas daripada seni bina memori konvensional dan berpotensi merevolusikan cara data disimpan dan diakses dalam sistem pengkomputeran.
Laluan ke Pengeluaran Komersial
Kejayaan pembangunan proses pembuatan berskala mewakili titik perubahan untuk usaha pengkomersialan UltraRAM . Ketua Pegawai Eksekutif Quinas James Ashforth-Pook mencirikan pencapaian ini sebagai detik penting dalam peralihan daripada penyelidikan universiti kepada produk memori komersial. Syarikat kini bekerjasama dengan faundri dan rakan kolaborasi strategik untuk mewujudkan keupayaan pengeluaran perintis, mendekatkan teknologi kepada ketersediaan pasaran.
Konteks Pasaran dan Persaingan
Usaha mencari memori universal yang menggabungkan keupayaan RAM dan penyimpanan telah menarik perhatian industri yang ketara selama bertahun-tahun. Syarikat teknologi utama termasuk Intel dan Samsung telah mencuba pendekatan serupa dengan tahap kejayaan yang berbeza-beza. Intel telah menghentikan platform Optane pada tahun 2022, manakala Samsung terus membangunkan produk Z-NAND . Sementara itu, pesaing seperti Kioxia dan Western Digital telah mencipta teknologi XL-FLASH , yang baru-baru ini menunjukkan metrik prestasi yang mengagumkan termasuk 3.5 juta IOPS bacaan rawak dalam pelaksanaan SSD PCIe 5.0 .
Teknologi Memori Bersaing
| Teknologi | Syarikat | Status | Ciri-ciri Utama |
|---|---|---|---|
| UltraRAM | Quinas | Fasa pengeluaran perintis | Pengekalan 1,000 tahun, terowong kuantum |
| Optane | Intel | Dihentikan 2022 | Tidak mudah hilang, kelajuan tinggi |
| Z-NAND | Samsung | Pembangunan aktif | Prestasi flash yang dipertingkatkan |
| XL-FLASH | Kioxia/WD | Ketersediaan komersial | 3.5M IOPS bacaan rawak |
Tinjauan Masa Depan dan Cabaran
Walaupun kejayaan pembuatan mewakili kemajuan ketara, UltraRAM masih menghadapi cabaran membuktikan daya maju komersialnya pada skala besar. Teknologi ini mesti berjaya menavigasi fasa pengeluaran perintis dan menunjukkan pembuatan kos efektif sebelum ia dapat bersaing dengan teknologi memori yang telah mapan. Walau bagaimanapun, pelaburan berterusan dan usaha pembangunan menunjukkan bahawa industri kekal komited untuk mencapai matlamat memori universal yang telah lama dicari yang menghapuskan kompromi tradisional antara prestasi, ketahanan, dan pengekalan data.