Gergasi memori Jepun Kioxia secara rasmi telah memulakan penghantaran sampel teknologi BiCS FLASH generasi kesembilan, menandakan peralihan strategik ke arah seni bina hibrid yang mengutamakan kecekapan kos dan pengoptimuman prestasi berbanding peningkatan kiraan lapisan mentah. Syarikat ini merancang untuk memulakan pengeluaran besar-besaran produk TLC 512Gb sebelum tamat tahun fiskal semasa, yang berakhir pada Mac 2026.
Garis Masa Pengeluaran Kioxia
- Julai 2025: Penghantaran sampel BiCS9 bermula
- September 2025: Kemudahan Kitakami K2 memulakan pengeluaran BiCS8
- Mac 2026: Sasaran pengeluaran besar-besaran BiCS9 , hasil BiCS8 melebihi produk semasa
- 2029: Sasaran menggandakan kapasiti pengeluaran berbanding tahap 2024
Pendekatan Seni Bina Hibrid Menjadikan BiCS9 Berbeza
Teknologi BiCS9 mewakili penyimpangan daripada pendekatan tradisional industri yang hanya menimbun lebih banyak lapisan untuk mencapai kapasiti yang lebih tinggi. Sebaliknya, Kioxia telah membangunkan kaedah pembinaan hibrid menggunakan teknologi CMOS directly Bonded to Array (CBA) . Proses inovatif ini membolehkan syarikat mengeluarkan wafer logik dan sel memori secara berasingan di bawah keadaan yang dioptimumkan sebelum mengikatnya menjadi satu pakej berprestasi tinggi. Hasilnya adalah cip yang menggabungkan struktur sel matang, seperti asas BiCS5 112-lapisan dengan teknologi proses penimbunan 120-lapisan, bersama antara muka I/O moden yang mampu mencapai kelajuan Toggle DDR 6.0 sehingga 3.6 Gb/s, dengan prestasi puncak mencecah 4.8 Gb/s di bawah keadaan ujian terkawal.
Perbandingan Generasi BiCS
| Generasi | Bilangan Lapisan | Ciri-ciri Utama |
|---|---|---|
| BiCS5 | 112 lapisan | Asas struktur sel yang matang |
| BiCS8 | 218 lapisan | Generasi semasa |
| BiCS9 | 120 lapisan | Seni bina hibrid CBA , antara muka DDR 6.0 |
| BiCS10 | 332 lapisan | Reka bentuk ketumpatan tinggi generasi akan datang (dirancang) |
 |
|---|
| Diagram yang menggambarkan proses pengikatan wafer CMOS, menonjolkan seni bina inovatif teknologi BiCS9 Kioxia |
Penambahbaikan Prestasi Ketara Merentas Metrik Utama
Walaupun menggunakan lapisan yang lebih sedikit daripada penyelesaian pesaing atau bahkan generasi BiCS8 Kioxia sendiri, BiCS9 memberikan peningkatan prestasi yang besar. Prestasi tulis telah meningkat sebanyak 61% berbanding reka bentuk TLC 512GB sebelumnya, manakala kelajuan baca menunjukkan peningkatan 12%. Kecekapan kuasa mewakili satu lagi kemajuan utama, dengan operasi tulis menggunakan 36% kurang kuasa dan operasi baca memerlukan 27% kurang tenaga. Selain itu, teknologi ini mencapai peningkatan 8% dalam ketumpatan bit, menunjukkan keseimbangan kejuruteraan yang teliti antara keuntungan prestasi dan pengoptimuman kos.
Peningkatan Prestasi BiCS9 berbanding Generasi Sebelumnya
| Metrik | Peningkatan |
|---|---|
| Prestasi Tulis | +61% |
| Prestasi Baca | +12% |
| Kecekapan Kuasa Tulis | +36% |
| Kecekapan Kuasa Baca | +27% |
| Ketumpatan Bit | +8% |
| Kelajuan Antara Muka | Sehingga 3.6 Gb/s ( Toggle DDR 6.0 ) |
| Kelajuan Ujian Puncak | 4.8 Gb/s |
Kedudukan Strategik untuk Pasaran AI dan Perusahaan
Strategi BiCS9 Kioxia secara khusus menyasarkan SSD perusahaan yang direka untuk beban kerja AI dan penyelesaian penyimpanan peringkat pertengahan di mana keseimbangan antara kecekapan dan prestasi terbukti kritikal. Kedudukan ini menjadi semakin relevan kerana beban kerja data yang didorong AI menuntut penyelesaian penyimpanan yang lebih pantas dan sedar kuasa yang mampu memberi makan GPU dengan latensi minimum. Pendekatan syarikat ini sangat berbeza dengan pesaing seperti Samsung dan Micron , yang terus bertaruh pada penskalaan agresif kiraan lapisan melebihi 300 lapisan untuk mencapai keuntungan kapasiti.
Garis Masa Pengeluaran dan Pelan Pengembangan Pasaran
Produk BiCS9 akan dikeluarkan di kemudahan Yokkaichi Kioxia dan dijangka digunakan dalam telefon pintar dan peranti pengguna lain. Pelancaran pengeluaran ini sejajar dengan strategi pengembangan yang lebih luas Kioxia , yang merangkumi rancangan untuk menggandakan kapasiti pengeluaran menjelang tahun fiskal 2029. Syarikat ini secara serentak mengembangkan barisan pengeluaran di kedua-dua kemudahan Yokkaichi dan Kitakami untuk meningkatkan pengeluaran NAND Flash pusat data AI . Terutamanya, bangunan kedua kemudahan Kitakami Kioxia (K2) dijadualkan mula beroperasi pada September, memfokuskan pada pengeluaran BiCS8 , dengan syarikat menyasarkan hasil BiCS8 mengatasi produk semasa menjelang Mac 2026.
Perkongsian dengan SanDisk Meneruskan Legasi Inovasi
Pembangunan BiCS9 meneruskan kerjasama lama Kioxia dengan SanDisk , perkongsian yang bermula pada 2006 dan secara konsisten menolak sempadan penskalaan dan prestasi teknologi 3D NAND . Usaha sama ini menggabungkan kepakaran pembuatan Jepun dengan kehadiran pasaran penyimpanan mendalam SanDisk , memastikan bahawa Kioxia , pencipta asal teknologi NAND flash , mengekalkan kelebihan daya saingnya melalui usaha penyelidikan dan pembangunan bersama. BiCS9 berfungsi sebagai teknologi peralihan yang membolehkan kedua-dua syarikat memperhalusi teknik pembuatan dan penalaan prestasi menjelang seni bina BiCS10 berketumpatan tinggi yang lebih kompleks yang dijangka menampilkan reka bentuk 332-lapisan yang canggih.
 |
|---|
| Persembahan profesional cip memori kilat NAND BiCS9 , mencerminkan inovasi Kioxia dalam perkongsian dengan SanDisk |